SanDisk、Toshiba推出X4快闪记忆体

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SanDisk、Toshiba推出X4快闪记忆体
採用43nm制程 09年上半年投产
  Sandisk 宣佈即将大量生产採用 4-Bits-Per Cell (X4) 技术的 MLC 快闪记忆体，採用 43nm 制程支援单颗 64Gb 容量，採用 X4 技术的 MLC 快闪记忆体，内建 X4 记忆体晶片及 X4 控制器晶片，共同结合于多晶片记忆体模组 (Memory Multi-Chip Package ，简称 MCP) 内，抄写速度对比现时多层式晶片技术提升至每秒 7.8MB ，将是是世上最高容量及密度的快闪记忆体单颗粒， 2009 年上半年正式投产。

  SanDisk 一直与 Toshiba 合作发展及生产先进的快闪记忆体，今次将共同在 43nm 面积上研发 64Gb X4 快闪记忆体技术，此崭新的 43nm 64Gb X4 晶片是世上最高容量及密度的快闪记忆体单颗粒，并于今年投入生产，抄写速度对比现时多层式晶片技术提升至每秒 7.8MB 。 SanDisk 专利的 All –Bit-Line ( 简称 ABL) 架构及最近面世的三步程式 (three-step programming ，简称 TSP) 及顺序意式概念 (sequential sense concept ，简称 SSC) 乃是 X4 超卓表现的主要元素。

  此外， SanDisk 发展多项先进系统管理的创新应用程式，以解决 4-bits-per-cell 的繁杂技术所带来的问题。由 SanDisk 研发及拥有的 X4 控 制器，利用首个专为储存系统而设的改错码 (error correcting code ，简称 ECC) ，并支援 4-bits-per-cell 所需的 16 层分配模式。

  SanDisk 记忆体科技及产品发展高级副总裁 Khandker Quader 表示， X4 记忆体及控制器技术不但为 SanDisk 带来长远重大的裨益，更为未来 NAND 快闪技术的提升扮演重要角色。 64Gb X4 乃匯聚多项重大发明的成果，显示 SanDisk 在推进高效能、低成本 multi-bit 快闪记忆体上的优势，至为适合佔用大量记忆体的音乐、电影、相片、 GPS 及电脑游戏等应用程式。

  SanDisk 未来科技及创新部副总裁 Menahem Lasser 则表示，生产具超卓表现及低成本的 4-bits-per-cell 技术最根本的挑战是在多层式储存上需要先进系统创新，幸而我们的 X4 控制器 技术配合记忆体管理及单一处理系统能完全符合 4-bits-per-cell 记忆体的独特需求，并显示 SanDisk 超卓能力把繁杂的记忆体应用程式概念 化及投入生产。

  SanDisk 及 Toshiba 将于今日的 2009 国际固态电路会议 (ISSCC) 上，呈交一份技术论文 X4 快速记忆体技术，关于研发了在 43nm 64Gb 4-bits-per-cell NAND 快闪记忆体的突破性技术。